Tekan-Paket IGBT
Paket Tekan IGBT (IEGT)
| JENIS | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80 ℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃ / W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0.90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1,50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0,50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0,85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0.011 |
Cathetan:D- karo dbagean yodium, A-tanpa bagean dioda
Conventionally, kontak solder modul IGBT padha Applied ing pindah pindah saka sistem transmisi DC fleksibel.Paket modul yaiku disipasi panas sisi tunggal.Kapasitas daya piranti diwatesi lan ora cocog kanggo disambungake kanthi seri, umure kurang ing udhara uyah, getaran anti-kejut utawa lemes termal.
Piranti IGBT jinis pers-kontak daya dhuwur sing anyar ora mung ngrampungake masalah kekosongan ing proses soldering, kekeselen termal saka bahan solder lan efisiensi kurang saka boros panas siji-sisi nanging uga ngilangi resistensi termal ing antarane macem-macem komponen, nyilikake ukuran lan bobot.Lan Ngartekno nambah efficiency apa lan linuwih saka piranti IGBT.Iku cukup cocok kanggo gawe marem-daya dhuwur, voltase dhuwur, syarat dhuwur-reliabilitas saka sistem transmisi DC fleksibel.
Substitusi jinis kontak solder kanthi pers-pack IGBT pancen penting.
Wiwit 2010, Runau Electronics dijlentrehake kanggo ngembangake piranti IGBT tipe press-pack anyar lan sukses produksi ing taun 2013. Kinerja kasebut disertifikasi kualifikasi nasional lan prestasi sing canggih rampung.
Saiki kita bisa nggawe lan nyedhiyakake seri pers-pack IGBT kisaran IC ing 600A nganti 3000A lan kisaran VCES ing 1700V nganti 6500V.Prospek apik saka IGBT pers-pack digawe ing China kanggo diterapake ing China sistem transmisi DC fleksibel wis Highly samesthine lan bakal dadi liyane watu kelas donya industri elektronik daya China sawise Sepur listrik kacepetan dhuwur.
Pengenalan Singkat Mode Khas:
1. Mode: Pencet-pack IGBT CSG07E1700
●Karakteristik listrik sawise kemasan lan mencet
● Mbaliksejajardisambungakedioda Recovery cepetrampung
● Parameter:
Nilai Rated (25 ℃)
a.Tegangan Emitor Kolektor: VGES=1700（V）
b.Tegangan Emitor Gerbang: VCES=±20(V)
c.Arus Kolektor: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Disipasi Daya Kolektor: PC=4440(W)
e.Suhu Persimpangan Kerja: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Suhu panyimpenan: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Cathetan: piranti bakal rusak yen ngluwihi nilai sing dirating
listrikCharacteristics, TC＝125 ℃, Rth (resistance termal sakasimpang menyangkasus）ora klebu
a.Arus Kebocoran Gerbang: IGES=±5（μA）
b.Kolektor Emitor Pamblokiran Arus ICE = 250（mA）
c.Tegangan Saturasi Kolektor Emitor: VCE(sat)=6(V)
d.Gate Emitter Threshold Voltage: VGE(th)=10(V)
e.Wektu urip: Ton = 2.5μs
f.Wektu mateni: Toff = 3μs
2. Mode: Tekan-pack IGBT CSG10F2500
●Karakteristik listrik sawise kemasan lan mencet
● Mbaliksejajardisambungakedioda Recovery cepetrampung
● Parameter:
Nilai Rated (25 ℃)
a.Tegangan Emitor Kolektor: VGES=2500（V）
b.Tegangan Emitor Gerbang: VCES=±20(V)
c.Arus Kolektor: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disipasi Daya Kolektor: PC = 4800 (W)
e.Suhu Persimpangan Kerja: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Suhu panyimpenan: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Cathetan: piranti bakal rusak yen ngluwihi nilai sing dirating
listrikCharacteristics, TC＝125 ℃, Rth (resistance termal sakasimpang menyangkasus）ora klebu
a.Arus Kebocoran Gerbang: IGES=±15（μA）
b.Kolektor Emitor Blokir Arus ICE = 25（mA）
c.Tegangan Saturasi Emitor Kolektor: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Gate Emitter Threshold Voltage: VGE(th)=6.3(V)
e.Wektu urip: Ton = 3.2μs
f.Wektu mateni: Toff = 9.8μs
g.Tegangan maju dioda: VF = 3,2 V
h.Diode Reverse Recovery Wektu: Trr = 1.0 μs
3. Mode: Pencet-pack IGBT CSG10F4500
●Karakteristik listrik sawise kemasan lan mencet
● Mbaliksejajardisambungakedioda Recovery cepetrampung
● Parameter:
Nilai Rated (25 ℃)
a.Tegangan Emitor Kolektor: VGES=4500（V）
b.Tegangan Emitor Gerbang: VCES=±20(V)
c.Arus Kolektor: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Dissipasi Daya Kolektor: PC=7700(W)
e.Suhu Persimpangan Kerja: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Suhu panyimpenan: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Cathetan: piranti bakal rusak yen ngluwihi nilai sing dirating
listrikCharacteristics, TC＝125 ℃, Rth (resistance termal sakasimpang menyangkasus）ora klebu
a.Arus Kebocoran Gerbang: IGES=±15（μA）
b.Kolektor Emitter Blocking Arus ICE = 50（mA）
c.Tegangan Saturasi Emitor Kolektor: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Gate Emitter Threshold Voltage: VGE(th)=5.2 (V)
e.Wektu urip: Ton = 5.5μs
f.Wektu mateni: Toff = 5.5μs
g.Tegangan maju dioda: VF = 3,8 V
h.Diode Reverse Recovery Wektu: Trr = 2.0 μs
Cathetan:Pencet-pack IGBT kauntungan ing long-term linuwih mechanical dhuwur, resistance dhuwur kanggo karusakan lan karakteristik saka struktur sambungan penet, trep kanggo dipunginaaken ing piranti seri, lan dibandhingake karo thyristor GTO tradisional, IGBT punika cara voltase drive. .Mulane, iku gampang kanggo operate, aman lan sawetara operasi sudhut.